Վերջին տարիներին ՀՀ ԳԱԱ Ֆիզիկական հետազոտությունների ինստիտուտում ցինկի օքսիդի հիման վրա մշակվում են յուրօրինակ ֆիզիկական բնութագրերով բարակ թաղանթներ և թաղանթային կառուցվածքներ, որոնք հեռանկարային են նոր ֆունկցիոնալ հատկություններով օժտված էլեկտրոնիկայի տարրերի ստեղծման համար։

Ցինկի օքսիդը յուրահատուկ նյութ է, որն ունի կիսահաղորդչի հատկություններ, բայց օպտիկապես թափանցիկ է։ Ներմուծելով որոշակի կոնցենտրացիայով տարբեր դոնորային կամ ակցեպտորային հավելումներ (լիթիում, գալիում, արծաթ կամ այլ)՝ հնարավոր է ղեկավարել ցինկի օքսիդի էլեկտրական հաղորդականությունը՝ էապես մեծացնելով կամ փոքրացնելով այն։ Ֆիզիկական փոշենստեցման եղանակներով տարբեր տակդիրների վրա հնարավոր է ստանալ ցինկի օքսիդի նախընտրած հաստության (տասնյակ նանոմետրերից տասնյակ միկրոմետրեր) թաղանթներ։ Ներմուծելով տարբեր հավելումները թաղանթի որոշակի հատվածներում՝ կարելի է ստանալ տարբեր անհամասեռ կառուցվածքներ, մասնավորապես, «հետերոկառուցվածքներ», որոնք այսօր ոչ գծային էլեկտրոնային տարրերի (դիոդներ, տրանզիստորներ, միկրոսխեմաներ) հիմքն են։

«Տարբեր խառնուկների ներմուծմամբ ցինկի օքսիդի թաղանթների էլեկտրական, ջերմային և օպտիկական բնութագրերի հիմնարար հետազոտությունների արդյունքում մեզ հաջողվեց ստանալ նախանշված ֆունկցիոնալությամբ թաղանթային կառուցվածքներ», - ասաց ՀՀ ԳԱԱ Ֆիզիկական հետազոտությունների ինստիտուտի Բյուրեղաօպտիկայի լաբորատորիայի վարիչ, ֆիզիկամաթեմատիկական գիտությունների թեկնածու Ռուբեն Հովսեփյանը։ 

«Նման կառուցվածքների հիման վրա արդեն իսկ պատրաստել ենք դիոդներ, դաշտային տրանզիստորներ, հիշողության հեռանկարային տարրեր՝ մեմրիստորներ։ Այդ տարրերը կդառնան հետագայի թափանցիկ էլեկտրոնային սարքերի հենքը։ Հնարավոր կիրառությունների շրջանակը շատ լայն է։ Մասնավորապես, դրանք ներառում են թափանցիկ էկրաններն ավտոմեքենայի դիմապակու կամ ակնոցների վրա, ճկուն թափանցիկ դիսփլեյները, «էլեկտրոնային թուղթը»։ Պետք է նշել, որ ցինկի օքսիդի հիման վրա ֆունկցիոնալ կառուցվածքները կարող են պատրաստվել ճկուն պլաստիկի վրա, ինչը բարձրացնում է դրանց կիրառական արժեքը։ Կարևոր է նաև, որ թափանցիկ էլեկտրոնիկայի տարրերի ստեղծման համար չի պահանջվում հատուկ սարքավորում. դրանք կարող են արտադրվել այսօր կիրառվող ավանդական տեխնոլոգիաներով», - ներկայացրեց Ռուբեն Հովսեփյանը։

Լաբորատորիայի այս ուղղությամբ կատարված աշխատանքները տպագրվել են միջազգային գիտական ամսագրերում՝ «Semiconductor Science and Technology», «Trends in Semiconductor Science», «Physica Status Solidi», «Journal of Optoelectronics and Advanced Materials»։ Տպագրված հոդվածների նկատմամբ գիտական հանրության հետաքրքրությունը փաստում է հղումների մեծ թիվը՝ ավելի քան 650: 

Հետազոտական աշխատանքներին մասնակցել են Հայ-ռուսական համալսարանի բակալավրիատի և մագիստրատուրայի մի շարք ուսանողներ։ 

Թափանցիկ էլեկտրոնիկայի տարրերի մշակման աշխատանքներն այսօր շարունակվում են ՀՀ կրթության, գիտության, մշակույթի և սպորտի նախարարության Բարձրագույն կրթության և գիտության կոմիտեի 21T-1C150 - «Թափանցիկ երկկայուն բարակթաղանթային տրանզիստոր» թեմատիկ ծրագրի շրջանակներում: 

ՀՀ ԳԱԱ գիտության հանրայնացման և հասարակայնության հետ կապերի բաժին
13.12.2023թ․