|
|
|
|
|
|
|
Авакьянц Гедеон Мовсесович
Специализация: Полупроводниковая электроника
Место рождения: Самарканд
Дата рождения: 12/04/1919
Дата смерти: 10/07/1984
|
|
Членство: |
Член-корреспондент |
Направления деятельности
Теория полупроводников на случай неодинаковой температуры частиц тока и решетки.
Образование
Окончил Среднеазиатский (ныне Ташкентский) ун-т (1942). Д.ф.-м.н. (1958), проф. (1960). Чл.-корр. (1965).
Должности
Научный сотр., зам.директора ФТИ АН УзССР (1942-1960), зав. отделом Ин-та радиофизики и электроники АН АрмССР (1965-1984).
|
|
|
|
|
Анонсы
Публикации в прессе
11/10/2024
hesc.am |
11/10/2024
hesc.am |
01/10/2024
1lurer.am |
30/09/2024
gituzh.am |
с 01.01.2005г. сайт посещался 7 126 645
раз
|
|